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#저항변화메모리

연소 공정을 이용한 SnO2 막의 Cl 도핑 효과 개념도와 제조된 SnO2 박막 트랜지스터의 전기적 특성

저온에서 고품질의 SnO2 막과 함께 Cl 도핑 효과를 얻는 연소 합성 기술을 보여줌. 제작된 SnO2 박막트랜지스터는 기존의 장치대비 향상된 전기적 특성을 보였으며 금속-반도체 계면에서 감소된 쇼트키 장벽을 확인함.

ⓒDGIST 제공2024.01.25
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